“Semiconductor discre” 中國GB標準檢索結果 |
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GB/T 37312.1-2019 航空電子過程管理 航空航太、國防及其他高性能應用領域（ADHP）電子元器件 第1部分：高可靠積體電路與分立半導體器件通用要求（中英文版） Process management for avionics—Electronic components for aerospace, defence and high performance (ADHP) applications—Part 1: General requirements for high reliability integrated circuits and discrete semiconductors |
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GB/T 15651.4-2017 半導體器件 分立器件 第5-4部分:光電子器件 半導體雷射器（中英文版） Semiconductor devices—Discrete devices—Part 5-4:Optoelectronic devices—Semiconductor lasers |
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GB/T 249-2017 半導體分立器件型號命名方法（中英文版） The rule of type designation for discrete semiconductor devices |
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SJ/T 1477-2016 半導體分立器件 3cg120型矽ｐｎｐ高頻小功率電晶體詳細規範（中英文版） (Discrete semiconductor devices 3CG120 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification) |
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SJ/T 1486-2016 半導體分立器件 3cg180型矽ｐｎｐ高頻高反壓小功率電晶體詳細規範（中英文版） (Discrete semiconductor devices 3CG180 silicon PNP frequency high power transistor backpressure small detail specification) |
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SJ/T 1480-2016 半導體分立器件 3cg130型矽ｐｎｐ高頻小功率電晶體詳細規範（中英文版） (Discrete semiconductor devices 3CG130 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification) |
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SJ/T 1472-2016 半導體分立器件 3cg110型矽pnp高頻小功率電晶體詳細規範（中英文版） (Discrete semiconductor devices 3CG110 high frequency low power silicon PNP transistor detailed specification) |
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SJ/T 1831-2016 半導體分立器件 3dk28型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK28 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1838-2016 半導體分立器件 3dk29型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK29 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1839-2016 半導體分立器件 3dk108型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK108 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1826-2016 半導體分立器件 3dk100型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK100 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1830-2016 半導體分立器件 3dk101型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK101 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1833-2016 半導體分立器件 3dk103型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK103 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1834-2016 半導體分立器件 3dk104型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK104 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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SJ/T 1832-2016 半導體分立器件 3dk102型ｎｐｎ矽小功率開關電晶體詳細規範（中英文版） (Semiconductor discrete device 3DK102 silicon NPN low power switching transistor detailed specification) |
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GB/T 4023-2015 半導體器件 分立器件和積體電路 第2部分：整流二極體（中英文版） Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits— Part 2: Rectifier diodes |
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GB/T 29332-2012 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙極電晶體(IGBT)（中英文版） Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT) |
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GB/T 21039.1-2007 半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二極體和電晶體 微波場效應電晶體空白詳細規範（中英文版） Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification |
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GB/T 4589.1-2006 半導體器件 第10部分：分立器件和積體電路總規範（中英文版） Semiconductor devices - Part 10: Generic specification for discrete devices and integrated circuits |
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GB/T 20516-2006 半導體器件 分立器件 第4部分：微波器件（中英文版） Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave devices |
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